Hochreines Silizium ist die Basis für die meisten Mikrochips und Solarzellen.
Wesentliche Grundlagen für die Silizium-Elektronik wurden nach dem 2. Weltkrieg im Siemens-Halbleiterlabor auf Schloss Pretzfeld in der Fränkischen Schweiz geschaffen. Heute arbeitet das IISB in Erlangen mit neuen Halbleitern wie Siliziumkarbid (SiC) oder Aluminiumnitrid (AlN).
Erlebt die ganze Geschichte im Vortrag!
Vortrag
18:00 Uhr, Dauer: 45 Min.
Hans-Georg-Waeber-Saal im 1. OG
max. 100 Besucher
Geschichte und Archäologie, Physik, Elektrotechnik und Informationstechnik, Werkstofftechnik
14 Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB Schottkystraße 10 91058 Erlangen